标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SIPMOS®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：190mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 190mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 130µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：6.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：104pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：PG-SOT89-4

其它名称：BSS192P L6327-NDBSS192PL6327HTSA1BSS192PL6327INTRBSS192PL6327XTSP000095795